长鑫存储申请反熔丝电路及电路测试方法专利,该反熔丝电路包括:第一晶体管;与所述第一晶体管连接的至少一个寄生晶体管和至少一个寄生三极管;所述至少一个寄生晶体管和所述至少一个寄生三极管均连接在第一节点

文/夏洛特2024-01-12 16:17:49来源:第三方供稿

金融界2024年1月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“反熔丝电路及电路测试方法“,公开号CN117391006A,申请日期为2022年7月。

专利摘要显示,本公开实施例公开了一种反熔丝电路及电路测试方法,该反熔丝电路包括:第一晶体管;与所述第一晶体管连接的至少一个寄生晶体管和至少一个寄生三极管;所述至少一个寄生晶体管和所述至少一个寄生三极管均连接在第一节点。

掌握最新全球资讯,下载FX168财经APP

相关推荐

关闭

长鑫存储申请反熔丝电路及电路测试方法专利,该反熔丝电路包括:第一晶体管;与所述第一晶体管连接的至少一个寄生晶体管和至少一个寄生三极管;所述至少一个寄生晶体管和所述至少一个寄生三极管均连接在第一节点


金融界2024年1月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“反熔丝电路及电路测试方法“,公开号CN117391006A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示,本公开实施例公开了一种反熔丝电路及电路测试方法,该反...

分享至: