金融界2024年1月12日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件的沉积方法“，公开号CN117393435A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体器件的沉积方法。一种方法，包括：将第一材料沉积在衬底中的凹部的侧壁表面上，其中，第一材料是导电材料；在沉积第一材料之后，使用等离子体辅助沉积工艺在凹部的底表面上沉积第二材料；以及在沉积第二材料之后，去除第一材料。
分享
台积电申请半导体器件沉积方法专利，实现在凹部侧壁表面上沉积导电材料
文 / 夏洛特 来源：第三方供稿
掌握最新全球资讯，下载FX168财经APP
敬告读者：所有内容不代表FX168财经报社立场，仅供读者参考！FX168提供的交易相关数据及资讯不构成投资决策的依据，由此带来的投资风险和损失由交易者自行承担。
相关文章
-
京东方A申请显示装置及显示方法专利，能够提高用户体验 
京东方A申请显示装置及显示方法专利，能够提高用户体验
2024-01-12 16:57
-
三星申请半导体器件及其制造方法专利，实现金属结构与半导体组件电绝缘 
三星申请半导体器件及其制造方法专利，实现金属结构与半导体组件电绝缘
2024-01-12 16:57
-
XM最新差评(20240105-20240111) 
XM最新差评(20240105-20240111)
2024-01-12 16:56
-
IC Markets最新差评(20240105-20240111).mp4 
IC Markets最新差评(20240105-20240111).mp4
2024-01-12 16:51
-
EXNESS最新差评(20240105-20240111).mp4 
EXNESS最新差评(20240105-20240111).mp4
2024-01-12 16:50
48小时/周排行
最热文章