金融界2024年2月5日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“的专利,授权公告号CN220439613U,申请日期为2023年6月。
专利摘要显示,一种半导体装置,包括位于基板上的导电结构,所述导电结构具有:顶表面、在第一接点与顶表面相交的第一侧壁、以及在第二接点与顶表面相交的第二侧壁;以及位于导电结构之上的阻挡层,所述阻挡层包括:沿着第一侧壁向下延伸的第一凸部、沿着第二侧壁向下延伸的第二凸部、以及在顶表面之上且与第一凸部及第二凸部互连的横向桥部。
文 / 夏洛特 来源:第三方供稿
金融界2024年2月5日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“的专利,授权公告号CN220439613U,申请日期为2023年6月。
专利摘要显示,一种半导体装置,包括位于基板上的导电结构,所述导电结构具有:顶表面、在第一接点与顶表面相交的第一侧壁、以及在第二接点与顶表面相交的第二侧壁;以及位于导电结构之上的阻挡层,所述阻挡层包括:沿着第一侧壁向下延伸的第一凸部、沿着第二侧壁向下延伸的第二凸部、以及在顶表面之上且与第一凸部及第二凸部互连的横向桥部。
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