金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种铁电存储器的制备方法“，公开号CN117529114A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种铁电存储器的制备方法，属于半导体存储器技术领域。本发明将铁电存储器的制备集成进入传统CMOS后道工序中，通过调整原有的通孔工艺，利用形成通孔的填充层隔离铁电存储器与金属互连线，解决了铁电存储器图形化带来的刻蚀污染问题。