文 / 夏洛特
來源：第三方供稿
金融界2024年2月8日消息，據國家知識產權局公告，北京大學申請一項名為“一種功率射頻器件的近結嵌入式微氣道結構及其制備方法“，公開號CN117525009A，申請日期為2023年12月。
專利摘要顯示，本發明公開了一種功率射頻器件的近結嵌入式微氣道結構及其制備方法，屬於半導體器件技術領域。本發明采用高熱導率材料制備器件的上表面均熱結構和襯底層，實現了雙面均熱/散熱，有效增加了器件的均熱/散熱能力，同時將微氣道熱沉直接引入器件的近結區域，顯著增強了近結區域的散熱能力，同時填充高導熱系數氣體，提高對流換熱系數。因此本發明解決了器件上表面難以集成熱沉的應用難題，實現嵌入式近結點均熱/散熱效果。
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