文 / 夏洛特 来源：第三方供稿
金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种功率射频器件的近结嵌入式微气道结构及其制备方法“，公开号CN117525009A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种功率射频器件的近结嵌入式微气道结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明采用高热导率材料制备器件的上表面均热结构和衬底层，实现了双面均热/散热，有效增加了器件的均热/散热能力，同时将微气道热沉直接引入器件的近结区域，显著增强了近结区域的散热能力，同时填充高导热系数气体，提高对流换热系数。因此本发明解决了器件上表面难以集成热沉的应用难题，实现嵌入式近结点均热/散热效果。
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