文 / 夏洛特 来源：第三方供稿
金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法“，公开号CN117545277A，申请日期为2019年9月。
专利摘要显示，根据本申请的实施例，各种实施例提供具有改进的栅极结构的闪存及其制造方法。闪存包括多个存储器单元，多个存储器单元包括存储器栅极、选择栅极、栅极介电层以及形成在栅极介电层的上表面上的保护盖。保护盖保护栅极介电层，并防止存储器和选择栅极通过导电材料无意地彼此电连接。根据本申请的实施例，还提供了非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法。
敬告读者：所有内容不代表FX168财经报社立场，仅供读者参考！FX168提供的交易相关数据及资讯不构成投资决策的依据，由此带来的投资风险和损失由交易者自行承担。
相关文章
2024-02-12 09:30
2024-02-12 09:30
2024-02-12 09:30
2024-02-12 09:30
2024-02-12 09:29
48小时/周排行
最热文章
