金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法“，公开号CN117545277A，申请日期为2019年9月。
专利摘要显示，根据本申请的实施例，各种实施例提供具有改进的栅极结构的闪存及其制造方法。闪存包括多个存储器单元，多个存储器单元包括存储器栅极、选择栅极、栅极介电层以及形成在栅极介电层的上表面上的保护盖。保护盖保护栅极介电层，并防止存储器和选择栅极通过导电材料无意地彼此电连接。根据本申请的实施例，还提供了非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法。