金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN109860298B，申请日期为2018年11月。
专利摘要显示，一种半导体器件包括：沟道图案，包括顺序地堆叠在衬底上的第一半导体图案和第二半导体图案；以及栅电极，沿第一方向延伸并交叉沟道图案。栅电极包括插置在衬底与第一半导体图案之间的第一部分、以及插置在第一半导体图案与第二半导体图案之间的第二部分。第一部分在第二方向上的最大宽度大于第二部分在第二方向上的最大宽度，第二半导体图案在第二方向上的最大长度小于第一半导体图案在第二方向上的最大长度。