金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“互连结构和包括该互连结构的电子器件“，授权公告号CN110752204B，申请日期为2019年1月。
专利摘要显示，提供了一种互连结构和包括该互连结构的电子器件。该互连结构包括包含至少一个沟槽的电介质层、填充所述至少一个沟槽的内部的导电布线、以及在导电布线的至少一个表面上的盖层。盖层包括纳米晶石墨烯。纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。