三星取得半导体器件专利,提升源极/漏极区的接触效果
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三星取得半导体器件专利,提升源极/漏极区的接触效果

文 / 夏洛特 来源:第三方供稿

金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“包括鳍型场效应晶体管的半导体器件“,授权公告号CN110620110B,申请日期为2019年2月。

专利摘要显示,一种包括鳍型场效应晶体管(fin‑FET)的半导体器件包括:设置在衬底上的有源鳍;在有源鳍的两侧上的隔离层;形成为与有源鳍和隔离层交叉的栅极结构;在栅极结构的侧壁上在有源鳍上的源极/漏极区;第一层间绝缘层,在隔离层上与栅极结构的侧壁的部分和源极/漏极区的表面的部分接触;蚀刻停止层,构造为重叠第一层间绝缘层、栅极结构的侧壁和源极/漏极区;以及接触插塞,形成为穿过蚀刻停止层以接触源极/漏极区。源极/漏极区具有与有源鳍的上表面接触的主生长部分。

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