金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，杭州士兰微电子股份有限公司取得一项名为“双向功率器件及其制造方法“，授权公告号CN110137242B，申请日期为2019年4月。
专利摘要显示，公开了一种双向功率器件及其制造方法，双向功率器件包括：半导体层；位于半导体层中的沟槽；位于所述沟槽侧壁上的栅介质层；位于所述沟槽下部的控制栅；位于所述沟槽上部的屏蔽栅，其中，所述控制栅和所述屏蔽栅彼此接触，所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。本申请的屏蔽栅位于彼此接触的控制栅上，且通过屏蔽介质层与源区和漏区隔离，双向功率器件截止时屏蔽栅通过屏蔽介质层耗尽第二掺杂区的电荷，提高耐压特性；双向功率器件导通时，源区和/或漏区与半导体层提供低阻抗的导通路径。