士兰微取得双向功率器件及其制造方法专利,提高耐压特性

文/夏洛特2024-02-24 05:47:08来源:第三方供稿

金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,杭州士兰微电子股份有限公司取得一项名为“双向功率器件及其制造方法“,授权公告号CN110137242B,申请日期为2019年4月。

专利摘要显示,公开了一种双向功率器件及其制造方法,双向功率器件包括:半导体层;位于半导体层中的沟槽;位于所述沟槽侧壁上的栅介质层;位于所述沟槽下部的控制栅;位于所述沟槽上部的屏蔽栅,其中,所述控制栅和所述屏蔽栅彼此接触,所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。本申请的屏蔽栅位于彼此接触的控制栅上,且通过屏蔽介质层与源区和漏区隔离,双向功率器件截止时屏蔽栅通过屏蔽介质层耗尽第二掺杂区的电荷,提高耐压特性;双向功率器件导通时,源区和/或漏区与半导体层提供低阻抗的导通路径。

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