三星取得集成电路器件专利，该专利技术能实现鳍型有源区、纳米片和栅极线的集成
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三星取得集成电路器件专利，该专利技术能实现鳍型有源区、纳米片和栅极线的集成

文 / 夏洛特 来源：第三方供稿

金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“集成电路器件“的专利，授权公告号CN110890363B，申请日期为2019年6月。

专利摘要显示，一种集成电路(IC)器件可以包括：鳍型有源区，从衬底突出并沿第一水平方向延伸；第一纳米片，设置在鳍型有源区的上表面之上，其间具有第一分离空间；第二纳米片，设置在第一纳米片之上，其间具有第二分离空间；栅极线，在与第一水平方向交叉的第二水平方向上在衬底上延伸，栅极线的至少一部分设置在第二分离空间中；和底部绝缘结构，设置在第一分离空间中。

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