三星取得半导体器件专利,提供接触区域以电连接到单元接触插塞
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三星取得半导体器件专利,提供接触区域以电连接到单元接触插塞

文 / 夏洛特 来源:第三方供稿

金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“,授权公告号CN110970443B,申请日期为2019年9月。

专利摘要显示,一种半导体器件包括:第一衬底结构,包括第一衬底、栅电极、单元接触插塞和第一接合垫,栅电极堆叠在第一衬底上,并且延伸不同的长度以提供接触区域,单元接触插塞在接触区域中连接到栅电极,第一接合垫分别设置在单元接触插塞上以电连接到单元接触插塞;以及第二衬底结构,在第一衬底结构上连接到第一衬底结构,并且包括第二衬底、设置在第二衬底上的电路元件和接合到第一接合垫的第二接合垫,其中,接触区域包括第一区域和第二区域,第一区域具有第一宽度,第二区域的至少一部分重叠第一接合垫,并且具有大于第一宽度的第二宽度,第二宽度大于第一接合垫的宽度。

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