金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“的专利，公开号CN117637736A，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，一种半导体装置，包括：在第三方向上彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案；栅电极，其覆盖第一有源图案和第二有源图案并在第二方向上延伸；第一源极/漏极区，其设置在栅电极的相对侧上并连接到第一有源图案；第二源极/漏极区，其设置在栅电极的相对侧上并连接到第二有源图案；多个第一上金属线，其在第二有源图案上沿第一方向延伸，并在第二方向上彼此间隔开；以及下金属线，其在第一有源图案上沿第一方向延伸，其中，第一方向、第二方向和第三方向彼此相交。