金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“包括集成绝缘体的集成电路器件及其形成方法“，公开号CN117637754A，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，本公开提供了包括集成绝缘体的集成电路器件及其形成方法。一种集成电路器件可以包括在基板上的上晶体管。上晶体管可以包括上沟道区。集成电路器件还可以包括在基板和上晶体管之间的下晶体管。下晶体管可以包括下沟道区。集成电路器件还可以包括在下沟道区和上沟道区之间的集成绝缘体。集成绝缘体可以包括外层和在外层中的内层，其中内层和外层包括不同的材料。