金融界2024年3月30日消息，据国家知识产权局公告，天合光能股份有限公司申请一项名为“太阳能电池及其制备方法“，公开号CN117790612A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法。一种太阳能电池，包括：基底层，所述基底层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述基底层的第一表面设置有第一凹槽；第一透明导电层，所述第一透明导电层设置于所述第一表面，并覆盖所述第一凹槽和所述第一表面除所述第一凹槽以外的区域；第一栅线电极，所述第一栅线电极设置于所述第一透明导电层远离所述基底层的表面。太阳能电池的基底层上的凹槽设计可增加透明导电层的覆膜厚度，从而使得位于凹槽内部方阻小于凹槽外部的方阻，进而实现了选择性高方阻区域和低方阻区域的设计方案，可以降低串联电阻，增加载流子的传输效率，提升电池的转换效率。