文 / Lisa 来源：第三方供稿
金融界2024年3月28日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“存储器电路及其操作方法“，授权公告号CN113628643B，申请日期为2021年7月。
专利摘要显示，偏置电压发生器包括第一电流路径、第一电压钳位器件和第一缓冲器。偏置电压发生器接收参考电压并基于参考电压和第一驱动电压之间的电压差生成第一偏置电压，第一电压钳位器件基于所述第一偏置电压通过将所述第一驱动电压施加至所述第一电流路径生成所述第一驱动电压，并且第一缓冲器接收第一偏置电压并基于第一偏置电压生成第二偏置电压。第二电流路径包括基于电阻的存储器件，第二电压钳位器件基于第二偏置电压生成第二驱动电压并将第二驱动电压施加至第二电流路径。本发明的实施例还涉及存储器电路及其操作方法。
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