台积电取得半导体封装件、半导体器件及其形成方法专利,实现具有液冷通道的半导体器件及其形成方法

文/Lisa2024-03-31 01:11:53来源:第三方供稿

金融界2024年3月28日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体封装件、半导体器件及其形成方法“,授权公告号CN113675178B,申请日期为2021年2月。

专利摘要显示,公开了包括具有液冷通道的盖的半导体器件及其形成方法。在实施例中,半导体器件包括:第一集成电路管芯;盖,耦合至第一集成电路管芯,该盖包括位于盖的与第一集成电路管芯相反的表面中的多个通道;冷却盖,与第一集成电路管芯相反地耦合至盖;以及传热单元,通过管配件耦合至冷却盖,该传热单元被配置为通过冷却盖将液体冷却剂供应至多个通道。本申请的实施例提供了半导体封装件、半导体器件及其形成方法。

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