金融界2024年4月1日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“电容结构及其形成方法“，授权公告号CN109148426B，申请日期为2018年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种电容结构及其形成方法，该电容结构包括：一基板，具有多个间隔的电容触点；多个电容柱，电容柱形成于所述基板上，并与电容触点接合，电容柱由内而外包括第一上电极层、第一介电层、下电极层、第二介电层及第二上电极层；顶部支撑层，平行于所述基板，多个电容柱贯穿于顶部支撑层，形成位于顶部支撑层上方的电容柱延伸部和下方的电容柱本体部；固定层，形成于所述电容柱延伸部的外围，固定层在垂直于所述基板方向上全部或部分地覆盖所述电容柱延伸部。该电容结构改善了加高的空心电容柱本身不稳定、易倒塌的问题，同时也避免了其形成过程中湿法刻蚀易出现的晃动及倒塌现象，大大提高了电容结构的稳定性和器件性能。