金融界2024年4月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体装置“，授权公告号CN110310916B，申请日期为2019年1月。
专利摘要显示，提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，通过隔离沟槽彼此隔离，并且分别在基底上沿第一方向延伸；第三鳍型图案，在第二方向上与第一鳍型图案和第二鳍型图案分隔开并且在第一方向上延伸；场绝缘膜，位于第一鳍型图案至第三鳍型图案的侧壁的一部分上；器件隔离结构，在第二方向上延伸并且位于隔离沟槽中；栅极绝缘支撑件，在场绝缘膜上沿第一方向延伸并且位于第一鳍型图案与第三鳍型图案之间；栅极结构，与第三鳍型图案交叉，在第二方向上延伸并且与栅极绝缘支撑件接触，其中，从基底到栅极结构的底表面的高度比从基底到栅极绝缘支撑件的底表面的高度大。