文 / Lisa 来源：第三方供稿
金融界2024年4月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“用于制造半导体器件的方法“，授权公告号CN108807385B，申请日期为2018年4月。
专利摘要显示，一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成模制结构，使得模制结构包括交替且重复地层叠的层间绝缘膜和牺牲膜；形成穿过模制结构的沟道孔；在沟道孔内形成垂直沟道结构；通过去除牺牲膜来暴露出层间绝缘膜的表面；沿层间绝缘膜的表面形成氧化铝膜；在氧化铝膜上形成连续膜；以及对连续膜进行氮化以形成TiN膜。
敬告读者：所有内容不代表FX168财经报社立场，仅供读者参考！FX168提供的交易相关数据及资讯不构成投资决策的依据，由此带来的投资风险和损失由交易者自行承担。
相关文章
2024-04-30 08:04
2024-04-30 08:04
2024-04-30 08:04
2024-04-30 08:04
2024-04-30 08:04
48小时/周排行
最热文章
