台积电取得半导体封装结构专利,专利技术能实现电连接第一及第二RDL结构

文/Lisa2024-05-01 08:09:25来源:第三方供稿

金融界2024年5月1日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体封装结构“,授权公告号CN220873573U,申请日期为2023年7月。

专利摘要显示,本实用新型实施例涉及一种半导体封装结构。所述半导体封装结构包含:裸片,其具有前侧及背侧;第一重布层RDL结构,其放置于所述裸片的所述背侧上;第二RDL结构,其放置于所述裸片的所述前侧上并电连接到所述裸片的所述前侧;贯穿集成式扇出通路TIV,其横向于所述裸片放置并延伸以电连接所述第一及第二RDL结构;模塑料,其放置于所述第一及第二RDL结构之间;增强层,其放置于所述第二RDL结构上;多个预焊凸块;及多个焊球,其放置于所述第二RDL结构上并电连接到所述第二RDL结构。所述增强层包含电连接到所述第一RDL结构的多个串接开口。所述预焊凸块中的每一者放置于所述串接开口中的一者中。

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台积电取得半导体封装结构专利,专利技术能实现电连接第一及第二RDL结构


金融界2024年5月1日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体封装结构“,授权公告号CN220873573U,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,本实用新型实施例涉及一种半导体封装结构。所述半导体封...

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