金融界2024年5月4日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“一种制造半导体器件的方法“,授权公告号CN110676170B,申请日期为2018年7月。
专利摘要显示,本发明提供一种制造半导体器件的方法,在栅极外表面包覆具有不同选择蚀刻比的阻挡层,通过刻蚀去除不需要的阻挡层显漏需要的阻挡层后,对衬底进行掺杂,从而控制掺杂区的大小,降低MOS器件中的短沟道效应,降低工艺复杂性及成本。
文 / Lisa 来源:第三方供稿
金融界2024年5月4日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“一种制造半导体器件的方法“,授权公告号CN110676170B,申请日期为2018年7月。
专利摘要显示,本发明提供一种制造半导体器件的方法,在栅极外表面包覆具有不同选择蚀刻比的阻挡层,通过刻蚀去除不需要的阻挡层显漏需要的阻挡层后,对衬底进行掺杂,从而控制掺杂区的大小,降低MOS器件中的短沟道效应,降低工艺复杂性及成本。
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