金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“一种制造半导体器件的方法“，授权公告号CN110676170B，申请日期为2018年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种制造半导体器件的方法，在栅极外表面包覆具有不同选择蚀刻比的阻挡层，通过刻蚀去除不需要的阻挡层显漏需要的阻挡层后，对衬底进行掺杂，从而控制掺杂区的大小，降低MOS器件中的短沟道效应，降低工艺复杂性及成本。