金融界2024年5月6日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成电路器件及其形成方法“，授权公告号CN112103183B，申请日期为2020年1月。
专利摘要显示，形成集成电路器件的方法包括提供沟道区域并且在沟道区域上生长氧化物层。生长氧化物层包括引入提供氧的第一源气体和引入提供氢的第二源气体。第二源气体与第一源气体不同。生长氧化物层通过将氧结合至沟道区域的半导体元素以形成氧化物层并且将氢结合至沟道区域的半导体元素以形成半导体氢化物副产物来生长。可以在氧化物层上方形成栅极介电层和栅电极。本发明的实施例还涉及集成电路器件。