12月10日午后，半导体产业链探底回升，上游半导体设备ETF（561980）拉升翻红涨0.61%、成交额破1.6亿。成份股方面，立昂微涨停，晶瑞电材、长川科技涨超3%，拓荆科技、沪硅产业涨超2%，南大光电、北方华创、海光信息等微涨。
消息面上，据银河证券，外部已正式提出H.R.6207号议案——《芯片设备质量法案》，禁止接受其补贴的芯片工厂使用来自中国的12类半导体设备。该机构认为，法案的提出侧面印证了中国在半导体设备领域进步迅速，也进一步强化了自主可控逻辑，或为板块上涨重要的情绪催化剂。
此外，近期国产半导体面临多重变局：一是海光信息终止吸收合并中科曙光，市场预期的“算力航母”资本整合暂停，但双方强调后续产业协同不变，重心或转向务实生态合作。
二是英伟达H200芯片据悉获有条件对华出口许可。业内视为“折中”方案，虽可能部分满足国内高端AI算力需求，但长期更强化产业链自主可控的必要性。
三是存储与GPU芯片持续涨价，AI服务器需求推动下，行业或处新一轮周期起点。TrendForce预计四季度一般型DRAM合约价将季增45-50%，含HBM的整体DRAM合约价将上涨50-55%。
综合影响下，上游半导体设备与材料环节的战略价值凸显。半导体设备ETF（561980）跟踪中证半导，重点布局中微公司、北方华创、寒武纪、中芯国际、海光信息等产业龙头，前十大集中度近8成，标的指数中半导体设备 材料 集成电路设计三行业占比超9成。在国产替代长期逻辑支撑下，景气度有望持续。
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