截至2026年2月9日收盘，科创芯片设计ETF天弘(589070)换手13.99%，成交9229.10万元，市场交投活跃。跟踪的上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨4.07%，成分股芯原股份上涨14.87%，国芯科技上涨12.85%，复旦微电上涨9.65%，灿芯股份，澜起科技等个股跟涨。
截至2月9日，科创芯片设计ETF天弘(589070)最新规模达6.54亿元，创成立以来新高。科创芯片设计ETF天弘(589070)近1周份额增长2800.00万份，实现显著增长。
资金流入方面，科创芯片设计ETF天弘(589070)近5个交易日内有4日资金净流入，合计“吸金”4384.05万元。
【产品亮点】
聚焦科创芯片设计核心领域，政策持续保驾护航，紧抓AI等新兴领域驱动带来的上游投资机会，科创芯片设计ETF天弘(589070)跟踪标的指数涵盖五十只科创芯片设计领域上市公司，成份股集中度高，单日最大涨跌幅达20%。随着上游推理需求的持续高速增长和国产替代持续提升，板块配置价值凸显。
【热点事件】
高盛警告！市场或迎十五年以来最严重的存储芯片短缺
2月8日，高盛表示，2026-2027年全球存储器市场将经历史上最严重的供应短缺之一，DRAM、NAND和HBM三大品类供需缺口均大幅扩大。更重要的是，即使在智能手机和PC需求大幅下滑的极端情景下，强劲的服务器需求仍能吸收冲击，维持市场紧张格局。
高盛大幅上调了DRAM供应短缺预期。最新预测显示，2026年和2027年DRAM供不应求幅度将达到4.9%和2.5%，远超此前预期的3.3%和1.1%。其中，2026年的供应短缺将是过去15年以来最严重的一次。
NAND市场的供需格局同样大幅收紧。高盛预计2026年/2027年NAND供不应求幅度为4.2%/2.1%，高于此前预期的2.5%/1.2%。这将是NAND行业历史上最大规模的短缺之一。
高盛将2026年/2027年HBM TAM（总体可寻址市场）预期上调8%/9%，至540亿美元/750亿美元（此前为500亿美元/690亿美元）。
【机构观点】
华泰证券指出，微软、Meta、谷歌、亚马逊2025年四季度资本开支同比增幅达48%-95%，其中约2/3投向CPU及GPU等短期资产；展望2026年，上述厂商资本开支中值预计同比增长60%-97%，叠加国产替代政策明确推进，AI芯片需求保持旺盛且结构性向国产设计厂商倾斜。寒武纪作为国产AI芯片第一梯队代表，2025年营收预计达60-70亿元，同比增长411%-496%，反映国内AI芯片设计环节正进入规模化放量阶段。
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