存储涨价潮延续,国产DRAM良率突破,科创芯片ETF(588200)一键布局产业链机遇

2026/02/26 14:58来源:第三方供稿

2月26日,据上交所数据显示,截至14:20,上证指数下跌0.18%,科创芯片指数上涨1.31%,个股方面,寒武纪 - U 涨超 7%,芯原股份涨超 4%.

热门ETF方面,科创芯片ETF(588200)涨1.23%,盘中成交额达24.70亿元,换手率达5.09%。同花顺数据显示,该基金近1年涨60.19%。

消息面上,2 月 26 日,SK 海力士透露 2026 年存储芯片因 AI 需求爆发及产能制约,全年供应紧张且持续涨价,HBM 产能已提前售罄;三星电子 1c nm 制程 DRAM 良率达 80%,HBM4 良率接近 60%,3 月将停产 2D NAND 闪存转产高端内存。2 月 25 日,香港特区政府公布财政预算案,投入超十五亿港元支持半导体芯片技术及设备企业,微电子研发院第三代半导体中试线年内运作;国内长江存储 232 层 3D NAND 实现量产,长鑫存储 19nm DDR4 内存良率突破 85%,LPDDR5X 内存进入国内 AI 服务器供应链。多家头部手机品牌拟 3 月初集体调价,智能手机存储芯片采购成本较去年同期上涨超 80%。

兴业证券指出,2026 年存储行业难形成规模化有效供给,国内存储芯片设计、模组厂商及半导体设备、封测企业均受益。东吴证券表示,AI 应用迭代推动端侧硬件需求攀升,带动芯片制程与架构持续革新。野村看好存储器超级周期及 AI 资本支出链盈利,上调韩国综指目标至 8000 点,科创芯片板块在技术突破与需求驱动下迎来发展机遇。

科创芯片ETF(588200)跟踪上证科创板芯片指数,前十大权重股分别为海光信息、中芯国际、澜起科技、寒武纪、中微公司、芯原股份、拓荆科技、佰维存储、华虹公司、华海清科,权重合计超58.21%。

科创芯片ETF(588200)当前管理费率为0.50%(每年),托管费率为0.10%(每年),场外联接基金为017469.OF、017470.OF。

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