科创芯片设计ETF(588780)逆势拉升涨超2%,算力驱动存储与PCB双轮爆发
繁简切换

FX168财经网>合作>正文

科创芯片设计ETF(588780)逆势拉升涨超2%,算力驱动存储与PCB双轮爆发

文 / 第三方供稿 来源:第三方供稿

截至2026年3月4日 09:48,科创芯片设计ETF(588780)上涨2.14%,盘中换手4.32%,成交3978.67万元。成分股佰维存储上涨20.00%,普冉股份上涨6.71%,东芯股份上涨3.84%,联芸科技,澜起科技等个股跟涨。

截至2026年3月4日 09:48,半导体ETF(512480)上涨1.73%,成交4.06亿元。成分股佰维存储上涨20.00%,德明利上涨9.54%,兆易创新上涨4.84%,北京君正,东芯股份等个股跟涨。

科创芯片设计ETF(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益,跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业,芯片设计行业占比超九成,“含芯量”满满,瞄准半导体高景气度细分赛道,体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF(588780)是跟踪科创芯片指数的同类产品中,成立时间最早、规模最大的产品。

此外,半导体ETF(512480)备受市场关注,是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF,一键布局中国半导体全产业链更均衡。场外联接(A类:007300;C类:007301)。

消息面,3月3日,佰维存储公告,经初步测算,公司预计2026年1—2月实现营业收入40亿元至45亿元,同比增长340%至395%;归母净利润15亿元至18亿元,同比增长921.77%至1086.13%。2026年存储行业迎来高度景气周期,AI算力与国产替代驱动DRAM/NAND价格持续上涨,行业供不应求,公司受益显著。

机构分析指出,2025年存储芯片头部企业业绩整体向好,系需求、供给与产业周期多重因素共同驱动。AI大模型训练和推理对高性能计算的需求激增,不仅导致先进算力芯片需求增加,也会带动高速、大容量存储芯片进入需求大幅增长的“超级周期”。野村证券预计,2026年DRAM(动态随机存取存储器)和NAND(闪存)的需求将分别增长30%,二者的平均售价也将分别跃升46%和65%。

根据业内消息,在AI强劲需求的拉动下,PCB(电路板)产业链的涨价行情还在延续。日本半导体材料巨头Resonac(力森诺科)已于3月1日起,上调CCL(铜箔基板)及粘合胶片价格30%。此外,PCB即将迎来超级催化剂——英伟达LPU推理芯片。

中信证券表示,受AI强劲需求拉动,该机构判断存储需求将保持高景气度,存储芯片的涨价有望贯穿2026年全年并持续带来行业催化。该行看好国内存储大厂的产能扩张和技术迭代加速,晶圆制造工艺相关的半导体材料用量料将大幅提升,大厂的材料及零部件端核心供应商有望充分受益,随下游产能落地节奏实现经营数据的阶梯式大幅增长。

风险提示:以上所有信息仅作为参考,不构成投资建议,一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险,入市需谨慎。

注:“成立最早、规模最大”指截至2026.3.3,科创芯片设计ETF为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中,成立时间最早、规模最大的产品。

以上内容与数据,与有连云立场无关,不构成投资建议。据此操作,风险自担。

分享
掌握最新全球资讯,下载FX168财经APP

相关文章

48小时/周排行

最热文章