新时空报道：普达特科技有限公司（0650.HK）发布自愿性公告，公布半导体设备业务最新进展。公司一台12英寸LPCVD炉管设备成功通过客户验收，该设备应用于LP-SiN薄膜沉积工艺。此外，另一台12英寸ALD炉管设备在客户端处于验证过程中，该设备应用于ALD-SiN/ALD-SiCN薄膜沉积工艺，兼容Thermal/Plasma模式。
据公告，公司先进半导体炉管设备产品线拥有Galilee-LP与Galilee-ALD两大设备平台，致力于服务12英寸逻辑制程、DRAM、3D NAND领域，应用覆盖65nm~7nm先进节点的关键薄膜沉积工艺，可沉积SiN、Poly、TEOS等多种系列膜层材料。该类设备市场主要由海外供应商占据，国产化率极低。公司设备可实现更高的填充深宽比、均匀性、台阶覆盖率与更低的污染，在先进性能指标达到国际标准的同时，拥有更高的批次生产效率。
在先进应用开发方面，公司已完成开发用于14/7nm节点的Low-K ALD SiOCN炉管设备，用于满足大规模集成电路对高性能绝缘层的需求，目前该设备仍由海外设备商垄断。
此外，公司半导体单片清洗设备亦持续扩大客户基础与量产经验。自2025年10月至今，已有五台6至12英寸CUBE单片清洗设备成功于多家高质量客户处通过验收，应用于SiC/功率器件/数模混合芯片等领域，其中两台设备为重复订单。该设备针对背面清洗与蚀刻工艺，具备超薄晶圆的处理能力。
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