中国突传重大技术突破！中国实现国产DUV光刻机设备 可自研生产8奈米芯片

FX168财经报社(亚太)讯 中国惊传重大技术突破，在美国、荷兰相继收紧半导体制造设备的出口管制措施之际，中国工信部近期公布一项通知显示，中国已取得重大技术突破，研发出深紫外光光刻机(DUV)，可生产8奈米及以下芯片，有望减少对进口设备的依赖。

中国工业和信息化部官网上周公布“首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)”，要求地方加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同。内容提及：“重大技术装备是国之重器，事关综合国力和国家安全，‘中国首台(套)重大技术装备’是指国内实现重大技术突破、拥有智慧财产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品，包括整机设备、核心系统和关键零部件等。”

该目录显示，在积体电路生产装备方面，其中一项是“氟化氩光刻机”(DUV光刻机)，核心技术指标是“晶圆直径300mm，照明波长248nm，分辨率≦65nm，套刻≦8nm”，这意味着这台中国国产DUV可生产8奈米及以下芯片。

所谓的“光刻机”是将芯片设计图案投射到矽芯片上的关键设备，EUV和DUV是两种不同的曝光机技术，而EUV更为高阶、精密，可制造出更小、更强大的芯片。

由于最新的设备只有ASML才能生产，因此芯片制造机器已成为中国的珍贵商品。在人工智能(AI)软件需要最新的半导体才能达到最佳性能的时代，中国本土的机器可以帮助中国减少对西方产品的依赖，从而推动关键行业的进步。

近期，美国和荷兰相继收紧半导体制造设备的出口管制措施，包括对荷兰ASML部分中阶DUV设备的限制，中国国产DUV曝光机的研发进展受到关注。外媒引述专家指出，尽管与全球领先的荷兰ASML公司的设备相比还存在一定差距，但中国自主研发的DUV曝光机，填补了中国国内半导体设备制造的一项重要空白。

中国科技媒体“科学科技说”随后转发上述内容指出，中国国产DUV曝光机终于到来，尽管与荷兰半导体制造设备龙头ASML曝光机存在几代差距，至少已填补空白，可控可用，期待之后能研发出更先进的极紫外光曝光机(EUV)。

在中美科技战的背景下，美国及其西方盟国近年来频频出手，寻求限制中国的半导体产业发展，美国9月5日才宣布收紧制造先进半导体设备所需机器的出口管制，荷兰政府隔日就跟进，宣布扩大限制半导体制造设备出口，较先进的曝光机等设备，若要出口到欧盟以外地区，须获得荷兰的特别批准。

荷兰政府9月早些时候宣布扩大限制半导体制造设备出口后，ASML的1970i和1980i DUV设备出口中国将受到影响，两款机型约是ASML所属DUV产品线的中阶位置。有分析指，如今若中国实现国产8奈米及以下制程DUV，未来绝大多数芯片制造将能不必受制于ASML。

但截至目前为止，尚无中国官方与厂商宣布采用自制DUV光刻机，在实际生产品质与良率效果上是否真能如官方所言，还有待核实。

海外科技媒体WccfTech认为，中国新公布的国产DUV光刻机至少落后美国15年，因为荷兰ASML的客户至少在2009年就可以透过其ArF曝光机生产芯片。

(来源:WccfTech)