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半导体突发消息!台积电“2奈米”用地环评通关 有望明年下半年启动 三星放话超车遭打脸

文 / 秉斯克 来源:FX168

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FX168财经报社(香港)讯 晶圆代工成为全球各国竞相争抢的重要领域,而作为半导体领头羊的台积电,今天证实落脚于台湾新竹科学园区的环境评估已通关,有望在2022年下半年启动。三星日前放话超车2奈米量产,但业内人士无情打脸称,目前三星2奈米技术仅停留在实验室阶段,量产的难度相当高。

台湾新竹科学园区管理局局长王永壮在今天对外宣布,竹科宝山2期扩建计划期望能在今年底前,就可以完成协议价购,明年年中取得所有用地。竹科宝山2期扩建计划,也就是台积电2奈米建厂用地,换而言之,台积电的2奈米厂可望于明年下半年启动。

根据台媒“自由时报”所称,竹科宝山2期扩建计划环评已过关,都市计划变更也经过台当局审查通过。王永壮表示:“后续将进行土地协议价购征收程序,已有50%地主签意愿书,期待今年底前可以完成协议价购,明年年中取得所有用地,以便进行公共工程的整地作业,用地面积超过90公顷。”

道指出,台积电目前进行宝山1期扩建计划,晶圆12厂第8期、9期,8期是原规划的研发中心,预计今年起可陆续完工。宝山2期扩建计划,就是预计兴建生产2奈米制程的晶圆厂用地,从征收时程估算,明年下半年将是台积电2奈米厂启动时间点。

反观主要竞争者三星,根据三星在年度晶圆论坛上所揭露的讯息,公司首个3奈米GAA制程良率正接近4奈米,并预计2022年上半年量产第一代3奈米3GAE制程,接著会在2023年推出第二代3奈米3GAP制程技术;并首度发表2奈米制程规划,目标在2025年抢先商用生产2奈米芯片。

有别于三星在3奈米导入GAA架构,台积电预计在2022年下半年量产3奈米FinFET(鳍式场效电晶体)制程,目前仅公布2奈米厂落脚新竹,并未说明技术及量产时程,因此部分人士忧心,台积电在技术进展上有落后三星的风险。

业界人士表示,三星计划采用的GAA架构,据称可更精准地控制通道电流、缩小芯片面积、降低耗电量。值得注意的是,GAA并不是近期才出现新的技术,且表现与性能更好是众所皆知,只是过去都停留在实验室阶段,量产的难度相当高。

他也提到,尽管台积电目前仅对外正式宣布2奈米生产据点,实际上公司早已着手2奈米GAA的研发,将采用全新世代的奈米层片(Nanosheet)架构,推测量产时间将落在2024年下半年。

科技新报就最新进展称,台积电会在3奈米延用FinFET架构,主要是综合考量成本竞争力、效能表现、技术成熟度后的抉择。对台积电而言,FinFET生态系统已相当成熟,相对具备成本效益。由于GAA难度更高,在先进制程成本不断垫高的趋势下,更需要稳扎稳打向前推进,才能提供客户兼具性价比的解决方案。

综合多家媒体所统整的市场消息,台积电3奈米已进入风险性试产阶段,目标明年中旬月产能拉升到约5万至6万片规模,并由大客户苹果率先在iPhone导入;同时,公司也规划推出改款版的3奈米制程,价格更具竞争力,量产时程估计将落在2023年。

实际上,目前半导体业者普遍对三星明年上半年量产GAA持保留态度,主要是因为4D的GAA制程较3D的FinFET复杂许多,三星能不能顺利量产并兼顾良率,且进一步应用到非自家的产品上,仍有待观察。再者,GAA制程价格势必会比FinFET更昂贵,在具备其他选项的前提下,客户买单意愿恐怕不高。

报道最后也引述分析师所认为,对晶圆代工业者来说,比的不会只有技术多领先、有多快,而是对制程、技术的掌握度,才能保有优异良率并达成量产目标,与客户互利双赢。台积电从技术、良率、营运管理能力、产能规模乃至客户关系都独占鳌头,霸主地位难以被他人撼动。

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