FX168财经报社(香港)讯 晶圆代工领域的两大领头羊台积电与三星，长年来在芯片制程的竞争至今都尚未结束。韩国三星计划在3奈米制程就先采用环绕闸极技术(GAA)，并且目前已经成功流片。但Business Korea指出，台积电在专利数申请上再次超越三星，而台积电总裁魏哲家也暗示，公司3奈米量产首年较5奈米将有更多新品设计定案，也会配合客户在明年下半年量产。
三星计划在3奈米制程就采用GAA技术，并表示3奈米制程节点与该公司的7奈米LPP制程相比，3GAA制程可以在同样功耗提高30%性能，或是在同样频率下降低功耗50%，电晶体密度提升80%。三星预计，MBCFET将在2022年投产。三星3奈米正式流片(Tape Out)，主要是与新思科技(Synopsys)合作，加速为GAA技术提供最佳化解决方案，预计将运用在高效能运算(HPC)、5G、通讯、AI等应用领域上。
而台积电则是在2奈米制程时，才会选择引进GAA技术，3奈米制程将维持FinFET架构，将重点放在2奈米以外节点，以及3D电晶体、新记忆体以及Low-R Interconnect等领域，为各项技术平台创造发展基础，并且加强FAB 12的研发N3、N2甚至更高级的先进制程节点。
根据Business Korea所指，台积电和三星相继投入GAA技术研发后，韩国知识产权局近日的统计资料显示，GAA技术相关专利大幅增加，先进制程主流的FinFET在2017年达到申请数量高峰，1年1936件，到2020年申请数量降低至1503件，GAA计数则是在2017年的173件，2020年增至381件。
此外，台积电、三星、美国IBM和格罗方德，申请GAA制程专利数量分别占比为31.4%、20.6%、10.2%、5.5%，显示出台积电就算GAA技术较晚才导入产品，仍然在研发竞争对手。
台积电在法说会上提到，领先业界的5奈米进入量产的第二年，具有最佳的效能、功耗和面积(PPA)，在智慧型手机、高效能运算(HPC)相关应用的驱动下，需求持续强劲，占营收比重逐季攀升，第二季占18%，相较上季的14%进一步提高，预期今年全年将占台积电营收比重约20%。
针对市场关注的另一个下世代3奈米制程进度是否较慢，台积电表示，3奈米持续采用FinFET电晶体架构，按照计划开发且进度良好，平台完成支援智慧型手机和HPC运算应用，设计定案量比5奈米更多客户参与，也会是晶圆代工最先进技术，预计今年进行试产，明年下半年量产。
台积电(TW2330)股价在本日亚市收盘录得跌幅0.17%，收报台币581元。三星(KR5930)股价也同样走跌0.51%，至78600韩元。
谈到晶圆代工的发展，值得关注的还有美国英特尔，华尔街日报援引知情人士所指，英特尔计划斥资约300亿美元收购知名晶圆代工企业格罗方德，促使台积电地位将受到严重挑战。收购格罗方德意味著，英特尔将具备更快速生产芯片能力，增加其接收订单量能外，也将能在技术方面更快速接轨晶圆代工。业界认为如果成真，这将是有史以来最大的收购案，但目前无法保证交易会达成。据悉，格罗方德仍能按照计划，前往美国进行首次公开募股(IPO)。
但格罗方德目前否认这项收购消息，并强调将会如期进行募股计划。
