FX168财经报社(亚太)讯 日本《日经亚洲》8月31日报道称，对中国当前半导体技术的分析显示，中国芯片实力已接近落后行业领袖台积电(TSMC)三年的水平，这表明美国阻止北京开发尖端芯片的努力存在局限性。
(截图来源：《日经亚洲》)
日本半导体调查企业TechanaLye社长清水洋治(Hiroharu Shimizu)向日经介绍了中国的芯片能力。TechanaLye每年拆解100个电子设备。
清水洋治展示了两款应用处理器的半导体电路图，这两款处理器是智能手机的大脑：一款来自华为(Huawei Technologies)今年4月发布的Pura 70 Pro，另一款来自华为2021年推出的顶级智能手机。
麒麟9010是最新款手机的芯片，由华为子公司海思(HiSilicon)设计，并由中国主要合同芯片制造商中芯国际(SMIC)批量生产。2021款手机的麒麟9000芯片也由海思设计，但由台积电批量生产。
中芯国际是美国尖端芯片限制措施的对象，但也具备生产7纳米芯片的能力。台积电为华为2021年的手机提供了5纳米处理器。
一般来说，纳米尺寸越小，性能越高，芯片越小。然而，中芯国际的7纳米量产芯片面积为118.4平方毫米，而台积电的5纳米芯片为107.8平方毫米。这两款芯片的面积和性能水平相似。
虽然在良品率上存在差距，但从出货的半导体芯片的性能来看，中芯国际的实力已追赶到比台积电落后至3年。虽然线路线宽为7纳米，但可以发挥与台积电的5纳米相同的性能，因此可以分析出海思半导体的设计能力也进一步提高。
华为Pura 70 Pro总共配备了37种半导体，支持内存、传感器、摄像头、电源和显示功能。其中14家来自海思，18家来自其他中国制造商，只有5家来自外国制造商，包括生产DRAM的韩国SK海力士和生产运动传感器的德国博世。大约86%的手机芯片是中国制造的。
清水洋治说道：“实际上，受美国限制的半导体只有用于人工智能等应用的尖端服务器芯片。只要这些芯片不构成军事威胁，美国可能就会允许它们的发展。”
据行业组织SEMI称，2023年，中国企业占全球芯片制造设备采购量的34.4%，大约是韩国和台湾的两倍。目前，中国正专注于不受尖端技术出口限制的设备，扩大大规模生产能力。
考虑到这一趋势，中芯国际的7纳米芯片现在可以与台积电的5纳米芯片在处理能力上竞争，这一事实可能对整个行业产生重大影响。随着电路小型化变得越来越困难，台积电要想在技术上领先于中国竞争对手也面临越来越多的障碍。
清水洋治表示：“到目前为止，美国政府的管制只是略微减慢了中国的技术创新，同时激发了中国芯片行业提高国内生产的努力。”
