FX168財經報社(亞太)訊 美國彭博社周二(9月17日)報道稱，中國宣布在國產芯片制造設備的研發上取得突破。彭博社稱，這是克服美國制裁的重要一步。這些制裁旨在阻礙中國實現其半導體目標。
(截圖來源：彭博社)
中國工業和信息化部在本月的一份公告中表示，建議使用一台分辨率達65納米或更好的新型基於激光的浸沒式光刻機。
盡管這份沒有具體說明是哪家供應商，但這一規格比之前最先進的國產設備——由上海微電子裝備集團公司(SMEE)研發的約90納米設備，有了重大進步。
彭博社指出，芯片制造設備是中國半導體雄心的關鍵瓶頸之一，而美國正試圖遏制中國的半導體雄心。像SMEE這樣的公司正在競相研發設備，以縮小與阿斯麥(ASML Holding NV)等供應商的差距，這些供應商現在被禁止向中國發貨。
中國工信部上周宣布的進展表明，中國本土競爭對手已經在開發更複雜設備方面開始取得進展，盡管SMEE及其同行距離趕超阿斯麥這樣的公司還有很長的路要走。
設備的分辨率決定了集成電路可以印刻在矽片上的規模，而阿斯麥最先進的光刻機的分辨率現在約為8納米。提高晶體管密度的一種方法是多次蝕刻低分辨率的圖案，華為(Huawei Technologies Co.)采用了這種方法，這有助於縮小差距。
盡管出現進展，但彭博社指出，美國主導的限制中國獲取先進芯片和芯片制造設備的行動，已經阻礙中國在人工智能等新興技術發展方面的競爭力；這些技術需要最先進的半導體。
在公告中，中國工信部還列舉了一系列國產芯片相關設備，希望看到它們得到更廣泛的應用，包括氧化爐和幹式蝕刻設備。
值得注意的是，中國半導體制造商很少透露其芯片制造技術的細節，因為該領域已被北京方面認定為對國家安全具有“戰略關鍵”的領域。
張江集團(Zhangjiang Group)在2023年宣布，SMEE已成功開發出可用於制造28納米芯片的光刻機。目前還不清楚這台機器是否已經投產，也不清楚它與工信部上周的通知有何關系。
彭博社指出，盡管外界普遍認為，中國將很難超越目前的先進水平，但缺乏透明度引發華盛頓對其貿易限制有效性的擔憂。
拜登政府對中國實施了全面的出口管制，並敦促荷蘭對阿斯麥在中國的業務施加更嚴格的限制。
中國依靠阿斯麥的浸沒式深紫外光刻系統來推進其芯片制造技術，因為中國尚未能夠開發出類似能力的設備。
