FX168財經報社(亞太)訊 中國驚傳重大技術突破，在美國、荷蘭相繼收緊半導體制造設備的出口管制措施之際，中國工信部近期公布一項通知顯示，中國已取得重大技術突破，研發出深紫外光光刻機(DUV)，可生產8奈米及以下芯片，有望減少對進口設備的依賴。
中國工業和信息化部官網上周公布“首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)”，要求地方加強產業、財政、金融、科技等國家支持政策的協同。內容提及：“重大技術裝備是國之重器，事關綜合國力和國家安全，‘中國首台(套)重大技術裝備’是指國內實現重大技術突破、擁有智慧財產權、尚未取得明顯市場業績的裝備產品，包括整機設備、核心系統和關鍵零部件等。”
該目錄顯示，在積體電路生產裝備方面，其中一項是“氟化氬光刻機”(DUV光刻機)，核心技術指標是“晶圓直徑300mm，照明波長248nm，分辨率≦65nm，套刻≦8nm”，這意味着這台中國國產DUV可生產8奈米及以下芯片。
所謂的“光刻機”是將芯片設計圖案投射到矽芯片上的關鍵設備，EUV和DUV是兩種不同的曝光機技術，而EUV更為高階、精密，可制造出更小、更強大的芯片。
由於最新的設備只有ASML才能生產，因此芯片制造機器已成為中國的珍貴商品。在人工智能(AI)軟件需要最新的半導體才能達到最佳性能的時代，中國本土的機器可以幫助中國減少對西方產品的依賴，從而推動關鍵行業的進步。
近期，美國和荷蘭相繼收緊半導體制造設備的出口管制措施，包括對荷蘭ASML部分中階DUV設備的限制，中國國產DUV曝光機的研發進展受到關注。外媒引述專家指出，盡管與全球領先的荷蘭ASML公司的設備相比還存在一定差距，但中國自主研發的DUV曝光機，填補了中國國內半導體設備制造的一項重要空白。
中國科技媒體“科學科技說”隨後轉發上述內容指出，中國國產DUV曝光機終於到來，盡管與荷蘭半導體制造設備龍頭ASML曝光機存在幾代差距，至少已填補空白，可控可用，期待之後能研發出更先進的極紫外光曝光機(EUV)。
在中美科技戰的背景下，美國及其西方盟國近年來頻頻出手，尋求限制中國的半導體產業發展，美國9月5日才宣布收緊制造先進半導體設備所需機器的出口管制，荷蘭政府隔日就跟進，宣布擴大限制半導體制造設備出口，較先進的曝光機等設備，若要出口到歐盟以外地區，須獲得荷蘭的特別批準。
荷蘭政府9月早些時候宣布擴大限制半導體制造設備出口後，ASML的1970i和1980i DUV設備出口中國將受到影響，兩款機型約是ASML所屬DUV產品線的中階位置。有分析指，如今若中國實現國產8奈米及以下制程DUV，未來絕大多數芯片制造將能不必受制於ASML。
但截至目前為止，尚無中國官方與廠商宣布采用自制DUV光刻機，在實際生產品質與良率效果上是否真能如官方所言，還有待核實。
海外科技媒體WccfTech認為，中國新公布的國產DUV光刻機至少落後美國15年，因為荷蘭ASML的客戶至少在2009年就可以透過其ArF曝光機生產芯片。
(來源:WccfTech)
