FX168财经报社(香港)讯 半导体聚焦最新芯片制程技术，英特尔前两天宣称其2奈米技术，有望从原本预订的2025年，提前半年到2024下半年量产。同时，也抢先业界在研发工厂安装目前最先进的高数值孔径的极紫外光(EUV)曝光机TWINSCAN EXE:5200，可说是来势汹汹。但有媒体嘲讽称，就此想追赶台积电可说是做梦。
财讯报道分析，英特尔抢先下订的EXE:5200，最快要2025年才能拿到，而EXE:5000在2022年就能开始供货，二者每小时能生产的晶圆片数分别为200片与182片，差别极小，英特尔抢到最新型号首发的实质意义不大。
反观来看，台积电虽然没有抢到第一部最先进EVU EXE:5200，但往后数年包含既有EXE:3000系列，以及较5200次一级的5000型号，大部分都会落入台积电的口袋。也就是说，即便英特尔成功开发初2奈米等级的制程服务，但届时能够拿出来服务代工客户的产能恐怕也会极为有限，很难对台积电产生任何实质威胁。
根据《财讯》报道所称，业界认为，很大的可能只是为弥补在推出IDM 2.0之前，没有先确保ASML最新机台的产能，所以才亡羊补牢。实际上，拿到EXE:5200对英特尔的产能规划帮助可能非常有限，台积电也没有想要第一时间拿到这部实验性机台，反而是以实现稳健量产为目标，抢下大部分EXE:5000机台。
尽管当前半导体市场上，有媒体不断地提出质疑，台积电3奈米的量产时程可能延误，但据了解，台积电3奈米的研发时程超前甚多，第二版更高性能的N3B预计在8月就能投片，在新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步量产，直接取代第一版。
台积电初步规划新竹工厂每月产能约1至2万片，台南工厂产能为1.5万片。而第三版高性价比N3E也能在明年第一季上阵，这些进展都打破英特尔的预期，也再次拉大台积电与三星之间的差距。
三星预计2022年量产基于GAA技术的3奈米制程，但至今为止，仍不知其客户将从何而来。而英特尔所谓2奈米时程提前，恐怕届时也只能少部分提供自用，就像最初10奈米在几年前量产时，因为技术限制，无法被应用在大规模电晶体的主流产品，只能先行使用在小布局的嵌入式处理器，量产后数年才真正被大规模使用，而能提供客户代工的先进制程产能规划恐怕还在未定之数。
财讯也分析，从ASML的产能规划来看，包含2022年在内未来3至5年，EUV机台设备恐怕都是一机难求，除了台积电的需求以外，三星、海力士、美光等业者的记忆体制造也都将升级到EUV机台，台湾南亚科也有计划引入EUV设备，加上英特尔自身目前有3个具备EUV能力的开发工厂，以及1个EUV量产工厂外，还有另外8个工厂正在规划兴建中，预计也都会引入EUV设备，在僧多粥少的情况下，恐怕还是得乖乖排队候补。
面对着来势汹汹的英特尔，实际上台积电也正筹备着前往美国设厂的计划。针对台积电赴美国亚利桑那州投资设厂，台积电创始人张忠谋日前再度指出，美国生产成本过高。分析师指出，张忠谋或许要让台积电有改变计划的台阶下。另外，针对外媒质疑，美国厂招募员工，要来台受训6至12个月，可能让美国人为之却步，台积电方面则表示，他们认为来台受训是很好的机会，对美国年轻人应该是有吸引力。
张忠谋2021年底曾于台北玉山科技协会20周年庆祝时指出，台积电赴美设厂不是个好选择，最好建厂的地点就是台湾。日前他在接受美国智库访问时，又举台积电美国奥勒冈厂为例指出，台湾与美国两地在半导体生产上有明显成本差异，同样的产品，在奥勒冈的单位成本要高出台湾50%。
