FX168财经报社(香港)讯 作为晶圆代工领头羊的台积电，30日在台股股价遇到重挫，而在地缘政局上也面临重大挑战。随着美国与台积电的关系日渐紧密，英特尔首席执行官季辛格也高调表态，威胁美国若再不提供补贴将赴欧设芯片厂，三星则曝光与ASML取得关键协议，正式向台积电下战帖。
30日亚市早盘，台股加权指数快速滑落，挫低跌破15000点吓坏投资者。台积电面临宏观经济的冲击，再加上如今先进制程也遇挑战，30日亚市开盘挫低1.73%。
英特尔首席执行官季辛格(Pat Gelsinger)在2021年2月上任后，就推出野心勃勃的IDM 2.0战略，希望通过大举投资重新夺回被台积电领先的半导体地位，其中一个重要内容就是在美国投资200亿美元建设2座新的晶圆厂。
(来源:Fortune)
然而这个在美国俄亥俄州建厂的计划目前被英特尔所延期，主要原因就是美国520亿美元的芯片补贴法案迟迟不能落实，英特尔希望获得大量补贴以降低芯片厂的成本。据报道，季辛格28日在阿斯彭思想节的小组讨论会上表示，如果美国国会不能批准芯片法案(CHIPS)中承诺的520亿美元的芯片制造政府补助，可能会在欧洲而不是美国扩大芯片生产。
季辛格在讨论会上说：“我讨厌宣布推迟”。他声称，英特尔计划先在俄亥俄州“做大”，但如果没有资金，最终会因此在欧洲投资更多。该公司已经计划，投入约350亿美元来扩大其在欧盟的生产，包括在德国新建价值180亿美元的设施。季辛格还评论说，这个行业“不是在寻求施舍”，芯片法案的补助将使美国具有“与世界其他地区相比差不多的竞争力”。
韩媒Business Korea在30日报道，三星电子和ASML就引进今年生产的极紫外光(EUV)曝光机，还有明年推出高数值孔径极紫外光High-NA EUV曝光机达成采购协议。
(来源:Business Korea)
三星电子副董事长李在镕本月初赴欧洲之行，他在14日前往ASML位于荷兰Veldhoven的总部拜访首席执行官温尼克(Peter Wennink)，两家公司签署一项协议，将引进今年生产的EUV曝光机，还有计划于明年推出高数值孔径极紫外光High-NA EUV曝光机。
要知道，High-NA EUV曝光机设备精密度更高、设计零件更多，是延续摩尔定律的关键基础设备，推动2奈米以下制程电晶体微缩，估计每台要价4亿美元，约合5000亿韩元。
ASML今年只能生产50台EUV设备，交货周期为1年6个月，ASML有限的生产能力和较长的交货时间，正加剧各大晶圆代工厂订购High-NA EUV曝光机的竞争。
李在镕此次欧洲行就是要积极确保稳定供应，期许在先进制程上追赶台积电，抢坐市占第一宝座。但台积电在16日美国硅谷研讨会上表示，会在2024年拥有ASML次世代最先进的曝光机。
据该报道所指，High-NA EUV曝光机应用于其晶片制程的具体时间尚未确定，但考虑到交货时间，预计三星将从2024年开始实际使用这项设备。
近期一些市场观察人士呼吁韩国政府对半导体业提供更多支持，前三星电子半导体研究所所长Kim Kwang-gyo近期表示，韩国政府对半导体产业过于轻视，若不果断扩大投资和解决半导体产业问题，韩国半导体业会面临死路一条的局面。
三星电子已获得ASML今年EUV曝光机产能中的18台，这意味着，三星仅在EUV曝光机上就将投资超过4万亿韩元。一位业内人士表示，如果三星采购10台High-NA EUV曝光机，三星将花费超过5万亿韩元，政府有必要扩大支持，以提高韩国国家产业竞争力。
